Zobrazeno 1 - 10
of 166
pro vyhledávání: '"Rorison, J."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Vogiatzis, N., Rorison, J. M.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Apr2011, Vol. 109 Issue 8, p083720, 7p
Autor:
Ivanov, P.1 p.ivanov@bristol.ac.uk, Rorison, J.1
Publikováno v:
Optical & Quantum Electronics. Feb2010, Vol. 42 Issue 3, p193-213. 21p. 2 Diagrams, 3 Charts, 8 Graphs.
Autor:
Piwonski, T., Pulka, J., Madden, G., Huyet, G., Houlihan, J., Pozo, J., Vogiatzis, N., Ivanov, P., Rorison, J. M., Barrios, P. J., Gupta, J. A.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Oct2009, Vol. 106 Issue 8, p083104-083109, 5p, 6 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Flierl, C., White, I. H., Kuball, M., Heard, P. J., Allen, G. C., Marinelli, C., Rorison, J. M., Penty, R. V., Chen, Y., Shih-Yuan Wang
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
We have investigated the use of focused ion beam (FIB) etching for the fabrication of GaN-based devices. Although work has shown that conventional reactive ion etching (RIE) is in most cases appropriate for the GaN device fabrication, the direct writ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7177a9a1e7e6a37683f92646eb03acda
https://doi.org/10.1557/s1092578300003392
https://doi.org/10.1557/s1092578300003392
An analysis of GaInNAs for optoelectronic device applications is performed. Design rules are provided for GaInNAs lasers in terms of laser parameters such as material gain, differential gain, differential refractive index, and linewidth enhancement f
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2127::78ee9b28f2ebe6b2b73524152198d5a3
https://pergamos.lib.uoa.gr/uoa/dl/object/uoadl:3059765
https://pergamos.lib.uoa.gr/uoa/dl/object/uoadl:3059765
Publikováno v:
2007 Proceedings of the European Conference on Integrated Optics
European Conference on Integrated Optics (ECIO)
European Conference on Integrated Optics (ECIO), Apr 2007, Copenhagen, Denmark
Proceedings of the 13th European Conference on Integrated Optics (ECIO 2007) 25-27 April 2007, Copenhagen, Denmark, 1-4
STARTPAGE=1;ENDPAGE=4;TITLE=Proceedings of the 13th European Conference on Integrated Optics (ECIO 2007) 25-27 April 2007, Copenhagen, Denmark
European Conference on Integrated Optics (ECIO)
European Conference on Integrated Optics (ECIO), Apr 2007, Copenhagen, Denmark
Proceedings of the 13th European Conference on Integrated Optics (ECIO 2007) 25-27 April 2007, Copenhagen, Denmark, 1-4
STARTPAGE=1;ENDPAGE=4;TITLE=Proceedings of the 13th European Conference on Integrated Optics (ECIO 2007) 25-27 April 2007, Copenhagen, Denmark
International audience; Integrated modelocked lasers producing pulses down to 2.1 ps were fabricated in bulk InGaAsP using butt-joint active-passive integration. It is demonstrated that good modelocked operation can be obtained in devices using this
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::038e949f242a5b05e57205a9fdee02c1
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02549373/document
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02549373/document