Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Room-temperature anneal"'
Autor:
Mu He, Peng Dong, Yao Ma, Qingkui Yu, Shuang Cao, Wende Huang, Qian Xu, Sijie Zhang, Mingmin Huang, Yun Li, Zhimei Yang, Min Gong
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 60, Iss , Pp 107672- (2024)
In this work, the electron irradiation effects and post-irradiation annealing (PIA) response on SiC MOSFETs were investigated and analyzed in terms of the evolution of oxide- and interface-trap charges after irradiation and PIA. It is found that the
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8b5e8485341344039951d55ffcf5921f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.