Zobrazeno 1 - 10
of 38
pro vyhledávání: '"Ronneberger, Ider"'
Autor:
Salinga, Martin, Kersting, Benedikt, Ronneberger, Ider, Jonnalagadda, Vara Prasad, Vu, Xuan Thang, Gallo, Manuel Le, Giannopoulos, Iason, Cojocaru-Mirédin, Oana, Mazzarello, Riccardo, Sebastian, Abu
Publikováno v:
Nature Materials, volume 17, pages 681-685 (2018)
Phase change memory has been developed into a mature technology capable of storing information in a fast and non-volatile way, with potential for neuromorphic computing applications. However, its future impact in electronics depends crucially on how
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1902.00254
Autor:
Rao, Feng, Ding, Keyuan, Zhou, Yuxing, Zheng, Yonghui, Xia, Mengjiao, Lv, Shilong, Song, Zhitang, Feng, Songlin, Ronneberger, Ider, Mazzarello, Riccardo, Zhang, Wei, Ma, Evan
Publikováno v:
Science, 2017 Dec . 358(6369), 1423-1427.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/26401092
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wei Zhang1,2, Ronneberger, Ider1, Zalden, Peter2,3, Ming Xu2, Salinga, Martin2, Wuttig, Matthias2,4, Mazzarello, Riccardo1,4 mazzarello@physik.rwth-aachen.de
Publikováno v:
Scientific Reports. 10/10/2014, p1-6. 6p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ronneberger, Ider
Publikováno v:
Aachen 1 Online-Ressource (xxiv, 259 Seiten) : Illustrationen, Diagramme (2016). doi:10.18154/RWTH-2017-00376 = Dissertation, RWTH Aachen University, 2016
RWTH Aachen University, Diss., 2016; 259 Seiten(2016).
Thanks to their outstanding physical properties, phase-change materials (PCM) are considered as one of the most promising active switching materials for future, non-volatile memory applicati
Thanks to their outstanding physical properties, phase-change materials (PCM) are considered as one of the most promising active switching materials for future, non-volatile memory applicati
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ca86c5fb8ba8093650eac01d4574804e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.