Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Rong-Ren Lee"'
Autor:
Kun-Lin Lin, Shih-Hong Chen, Guang-Li Luo, Mon-Yang Chen, Rong-Ren Lee, Shih-Pang Chang, Chun-Jung Su, Ta-Cheng Hsu, Wen-Da Hsu, Wen-Kuan Yeh, Jen-Inn Chyi, Shih-Chang Lee, Chien-Ting Wu
Publikováno v:
2016 Compound Semiconductor Week (CSW) [Includes 28th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM) & 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS).
In this paper, we report that a nearly defect free In 0.71 Ga 0.29 As fin structure can be selectively grown inside oxide nano-trenches on a Ge template by using composition-graded InGaP as a buffer layer. A growth model is proposed to explain the st
Autor:
Shih-Pang Chang, Kun-Lin Lin, Chien-Ting Wu, Cheng-Yu Chen, Mon-Yang Chen, Rong-Ren Lee, Wen-Da Hsu, Shih-Hong Chen, Chun-Jung Su, Guang-Li Luo, Shih-Chang Lee, Ta-Cheng Hsu, Wen-Kuan Yeh, Jen-Inn Chyi
Publikováno v:
ECS Meeting Abstracts. :2059-2059
With continuous increase in transistor count and clock frequency, the power density of current Si integrated circuits has reached a level that calls for a revolutionary change in transistor technology. High hole mobility Ge and high electron mobility
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.