Zobrazeno 1 - 10
of 58
pro vyhledávání: '"Romaniuk B"'
Autor:
Efremov, A. A.1 dr.alef007@gmail.com, Romaniuk, B. M.1 romb@isp.kiev.ua, Melnyk, V. P.1 vp_mel@ukr.net, Stadnik, O. A.1 stadnyk.o@gmail.com, Sabov, T. M.1 tsabov92@gmail.com, Kulbachinskiy, O. A.1 s.kulbachynskyi@gmail.com, Dubikovskiy, O. V.1 dubikovsky_o@ukr.net
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2024, Vol. 27 Issue 1, p28-39. 12p.
Publikováno v:
In Critical Reviews in Oncology and Hematology 2009 69(2):153-167
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gamov, D. V., Gudymenko, O. I., Kladko, V. P., Litovchenko, V. G., Melnik, V. P., Oberemok, O. S., Popov, V. G., Polishchuk, Yu. O., Romaniuk, B. M., Chernenko, V. V., Nasekа, V. M.
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 58 No. 9 (2013); 881
Український фізичний журнал; Том 58 № 9 (2013); 881
Український фізичний журнал; Том 58 № 9 (2013); 881
A comparative study of the defect formation and changes in the lifetime of nonequilibrium minority charge carriers in silicon while gettering the iron impurity with the use of a combined getter “porous silicon layer + aluminum film” is carried ou
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=issn20710194::76bf73ef01789de357640a356200de8f
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018365
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018365
Autor:
Gabovich, A. M., Gudymenko, O. Yo., Kladko, V. P., Lytvyn, P. M., Nasieka, Iu. M., Romaniuk, B. M., Semeniuk, V. F., Semeniuk, N. I., Strelchuk, V. V., Styopkin, V. I., Tkach, V. M.
Publikováno v:
Nanosistemi, Nanomateriali, Nanotehnologii; 2020, Vol. 18 Issue 2, p357-372, 16p
Autor:
Korotyeyev, V. V., Kochelap, V. O., Sapon, S. V., Romaniuk, B. M., Melnik, V. P., Dubikovskyi, O. V., Sabov, T. M.
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics; 2018, Vol. 21 Issue 3, p294-306, 13p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Europe PubMed Central
The understanding of the background of a malocclusion is essential especially in the cranial field. Statistics reinforce the choice of our cranial landmarks and the main lines of our cranial biometry which is really 3D. It marks the relationships bet
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid_dedup__::4732714aff8c7db31a3a2e3e5ba1a67a
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/12528244
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/12528244
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
6th IEEE Southwest Symposium on Image Analysis & Interpretation, 2004; 2004, p80-84, 5p