Zobrazeno 1 - 10
of 32
pro vyhledávání: '"Rockele, Maarten"'
Autor:
Ke, Tung-Huei, Müller, Robert, Kam, Benjamin, Rockele, Maarten, Chasin, Adrian, Myny, Kris, Steudel, Soeren, Oosterbaan, Wibren D., Lutsen, Laurence, Genoe, Jan, van Leuken, Linda, van der Putten, Bas, Heremans, Paul
Publikováno v:
In Organic Electronics June 2014 15(6):1229-1234
Autor:
Rockelé, Maarten, Pham, Duy-Vu, Hoppe, Arne, Steiger, Jürgen, Botnaras, Silviu, Nag, Manoj, Steudel, Soeren, Myny, Kris, Schols, Sarah, Müller, Robert, van der Putten, Bas, Genoe, Jan, Heremans, Paul
Publikováno v:
In Organic Electronics 2011 12(11):1909-1913
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Nag, Manoj, Chasin, Adrian, Rockele, Maarten, Steudel, Soeren, Myny, Kris, Bhoolokam, Ajay, Tripathi, Ashutosh, van der Putten, Bas, Kumar, Abhishek, van der Steen, Jan-Laurens, Genoe, Jan, Li, Flora, Maas, Joris, van Veenendaal, Erik, Gelinck, Gerwin, Heremans, Paul
Publikováno v:
Journal of the Society for Information Display
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=fp7_nmp_____::97ca51cb0bc37e004952e430ac4295f0
Autor:
Myny, Kris, Smout, Steve, Rockele, Maarten, Bhoolokam, Ajay, Ke, Tung Huei, Steudel, Soeren, Obata, Koji, Marinkovic, Marko, Pham, Duy-Vu, Hoppe, Arne, Gulati, Aashini, Gonzalez Rodriguez, Francisco, Cobb, Brian, Gelinck, Gerwin, Genoe, Jan, Dehaene, Wim, Heremans, Paul
We present an 8b general-purpose microprocessor realized in a hybrid oxide-organic complementary thin-film technology. The n-type transistors are based on a solution-processed n-type metal-oxide semiconductor, and the p-type transistors use an organi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::5903f675ab3d9063d5a60e4d4d108fc6
https://lirias.kuleuven.be/handle/123456789/637108
https://lirias.kuleuven.be/handle/123456789/637108
Autor:
Nag, Manoj, Steudel, Soeren, Vaisman Chasin, Adrian, Myny, Kris, Rockele, Maarten, Bhoolokam, Ajay, Willegems, Myriam, Smout, Steve, Vicca, Peter, Ameys, Marc, Schols, Sarah, Genoe, Jan, Groeseneken, Guido, Heremans, Paul
© (2013) by SID-the Society for Information Display All rights reserved. In this study, the authors report high-quality amorphous Indium- Gallium-Zinc-Oxide (a-IGZO) thin film transistors (TFTs) fabricated using a new back-channel-etch (BCE) process
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1131::1e8e4d24a67bfe004a227e855f7240ad
https://lirias.kuleuven.be/handle/123456789/640050
https://lirias.kuleuven.be/handle/123456789/640050
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.