Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Rock, Nathan D."'
Autor:
Rock, Nathan D., Yang, Haobo, Eisner, Brian, Levin, Aviva, Bhattacharyya, Arkka, Krishnamoorthy, Sriram, Ranga, Praneeth, Walker, Michael A, Wang, Larry, Cheng, Ming Kit, Zhao, Wei, Scarpulla, Michael A.
Diffusion of native defects such as vacancies and their interactions with impurities are fundamental in semiconductor crystal growth, device processing, and long-term aging of equilibration and transient diffusion of vacancies are rarely investigated
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2403.17298
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Rock, Nathan D., Yang, Haobo, Eisner, Brian, Levin, Aviva, Bhattacharyya, Arkka, Krishnamoorthy, Sriram, Ranga, Praneeth, Walker, Michael A., Wang, Larry, Cheng, Ming Kit, Zhao, Wei, Scarpulla, Michael A.
Publikováno v:
APL Materials; Aug2024, Vol. 12 Issue 8, p1-11, 11p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
APL Materials; Jan2023, Vol. 11 Issue 1, p1-7, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.