Zobrazeno 1 - 10 of 18 pro vyhledávání: '"Robins, L. H."'
1
Akademický článek
Raman spectroscopy based measurements of carrier concentration in n-type GaN nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy.
Autor: Robins, L. H., Horneber, E., Sanford, N. A., Bertness, K. A., Brubaker, M. D., Schlager, J. B.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2016, Vol. 120 Issue 12, p124313-1-124313-24, 24p, 1 Black and White Photograph, 6 Charts, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Refractive index study of Al[sub x]Ga[sub 1-x]N films grown on sapphire substrates.
Autor: Sanford, N. A., Robins, L. H., Davydov, A. V., Shapiro, A., Tsvetkov, D. V., Dmitriev, A. V., Keller, S., Mishra, U. K., DenBaars, S. P.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/1/2003, Vol. 94 Issue 5, p2980, 12p, 1 Diagram, 6 Charts, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Spontaneous compositional modulation in the AlGaN layers of a thick AlGaN/GaN multilayer structure.
Autor: Levin, I., Robins, L. H., Vaudin, M. D., Tuchman, J. A., Lakin, E., Sherman, M. J., Ramer, J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/1/2001, Vol. 89 Issue 1, p188, 6p, 3 Black and White Photographs, 1 Diagram, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Conference
Triplet photoluminescence in crystalline chalcogenide semiconductors.
Autor: Robins, L. H., Kastner, M. A.
Publikováno v: AIP Conference Proceedings; Oct1984, Vol. 120 Issue 1, p183-188, 6p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
High-accuracy determination of epitaxial AlGaAs composition with inductively coupled plasma optical emission spectroscopy.
Autor: Bertness, K. A., Wang, C. M., Salit, M. L., Turk, G. C., Butler, T. A., Paul, A. J., Robins, L. H.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; Mar/Apr2006, Vol. 24 Issue 2, p762-767, 6p, 3 Charts, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Fabrication and analysis of GaN nanorods grown by MBE.
Autor: Sanford, N. A., Robins, L. H., Gray, M. H., Kang, Y.-S., Nostrand, J. E. Van, Stutz, C., Cortez, R., Davydov, A. V., Shapiro, A., Levin, I., Roshko, A.
Publikováno v: Physica Status Solidi (C); 2005, Vol. 2 Issue 7, p2357-2360, 4p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje