Zobrazeno 1 - 10
of 36
pro vyhledávání: '"Robin, C.J"'
Autor:
Wang, Robin C.J., Chang-Liao, K.S., Wang, T.K., Chang, M.N., Wang, C.S., Lin, C.H., Lee, C.C., Chiu, C.C., Wu, Kenneth
Publikováno v:
In Thin Solid Films 2008 517(3):1230-1233
Autor:
Wang, Robin C.J., Chang-Liao, K.S., Oates, A.S., Lee, C.C., Chen, L.D., Chiu, C.C., Wu, Kenneth
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2007 84(11):2697-2701
Autor:
Wang, Robin C.J., Chang-Liao, K.S., Wang, T.K., Lee, C.C., Lin, J.H., Oates, A.S., Lee, S.C., Wu, Kenneth
Publikováno v:
In Thin Solid Films 2007 516(2):449-453
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability 2006 46(9):1673-1678
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
C.S. Wang, Chang-Chun Lee, C.H. Lin, C. C. Chiu, M.N. Chang, Robin C.J. Wang, Kuei-Shu Chang-Liao, Tien-Ko Wang, Kenneth Wu
Publikováno v:
Thin Solid Films. 517:1230-1233
Leakage current and conduction mechanism of low-dielectric constant (low-k) carbon-doped silicon oxide (SiCO) for back-end-of-line (BEOL) dielectric are investigated in this work. Temperature-dependent leakage, Schottky emission and Poole–Frenkel e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1e78821211e44457843d6b9b1182820c
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2008.06.051
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2008.06.051
Autor:
Tien-Ko Wang, Kenneth Wu, A. S. Oates, Jing-Cheng Lin, Chang-Chun Lee, S.C. Lee, Kuei-Shu Chang-Liao, Robin C.J. Wang
Publikováno v:
Thin Solid Films. 516:449-453
In this work, copper stress-induced voiding (SIV) at narrow metal finger connected with wide lead is investigated. Three failure modes are explored and discussed with different failure sites. A driving force for void migration resulted from hydrostat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::55d5adc6ba13e659d606e81a466e9ad3
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2007.07.147
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2007.07.147