Zobrazeno 1 - 10
of 268
pro vyhledávání: '"Rius G"'
Autor:
Jiménez-Ramos, M.C., García Osuna, A., Rodriguez-Ramos, M., Viezzer, E., Pellegrini, G., Godignon, P., Rafí, J.M., Rius, G., García López, J.
Publikováno v:
In Radiation Physics and Chemistry January 2024 214
Autor:
Jiménez-Ramos, M.C., López, J. García, Osuna, A. García, Rodríguez-Ramos, M., Barroso, A. Villalpando, Muñoz, M. García, Andrade, E., Pellegrini, G., Ugobono, S. Otero, Godignon, P., Rafí, J.M., Rius, G.
Publikováno v:
In Radiation Physics and Chemistry December 2020 177
Autor:
Camara, N., Rius, G., Huntzinger, J-R., Tiberj, A., Mestres, N., Perez-Murano, F., Godignon, P., Camassel, J.
We present an investigation of large, isolated, graphene ribbons grown on the C-face of on-axis semi-insulating 6H-SiC wafers. Using a graphite cap to cover the SiC sample, we modify the desorption of the Si species during the Si sublimation process.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0812.4351
Autor:
Camara, N., Rius, G., Huntzinger, J. -R., Tiberj, A., Magaud, L., Mestres, N., Godignon, P., Camassel, J.
An investigation of the early stage formation of graphene on the C-face of 6H-SiC is presented. We show that the sublimation of few atomic layers of Si out of the SiC substrate is not homogeneous. In good agreement with the results of theoretical cal
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0810.4888
Autor:
Camara, N., Rius, G., Huntzinger, J. -R., Tiberj, A., Mestres, N., Godignon, P., Camassel, J.
We present an innovative method of selective epitaxial growth of few layers graphene (FLG) on a pre-patterned SiC substrate. The methods involves, successively, the sputtering of a thin AlN layer on top of a mono-crystalline SiC substrate and, then,
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0806.4056
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering November 2012 99:18-22