Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Ritsuo Sudo"'
Autor:
Kunihiro Suzuki, Ritsuo Sudo
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 44:2253-2257
By expanding our previously proposed analytical expression for dose-dependent ion-implanted impurity concentration profiles using a main function and a tail function, we improve the model so that the parameters can be extracted more robustly and exte
Autor:
Kunihiro Suzuki, Ritsuo Sudo
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 44:1043-1047
We collected data of ion-implantation profiles using Monte Carlo simulation, and showed that these profiles can readily be expressed by a joined half Gaussian function. We extracted parameters of the joined half Gaussian function from the Monte Carlo
Comprehensive analytical expression for dose dependent ion-implanted impurity concentration profiles
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 42:1671-1678
We propose an analytical expression for dose dependent ion-implanted impurity concentration profiles using a main function and a tail function. The main function describes the profile near the peak region and the tail function describes the channelin
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.