Zobrazeno 1 - 10
of 39
pro vyhledávání: '"Ripoche, G."'
Autor:
Ripoche, G., Harari, J.
Publikováno v:
Optoelectronic sensors
Decoster D., Harari J. Optoelectronic sensors, ISTE-Wiley, Chapter 3, 57-107, 2009
Decoster D., Harari J. Optoelectronic sensors, ISTE-Wiley, Chapter 3, 57-107, 2009
ISBN 978-1-848-21078-3
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::15b8731e94502bcbf8e0388ddcc8b8fa
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00575791
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00575791
Autor:
Ripoche, G., Harari, Joseph
Publikováno v:
Détecteurs optoélectroniques
DECOSTER D., HARARI J. Détecteurs optoélectroniques, Hermès Sciences, Lavoisier, pp.149-169, 2002
DECOSTER D., HARARI J. Détecteurs optoélectroniques, Hermès Sciences, Lavoisier, pp.149-169, 2002
Traité EGEM, série optoélectronique, ISBN 2-7462-0562-9
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e16d8456ddfbff26998b346bdb676af9
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00132035
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00132035
Proton bombardment technique for high speed (>1 Gbit/s) 4 section bistable DBR wavelength converter.
Autor:
Gaumont-Goarin, E., Jacquet, J., Adevah-Poeuf, S., Labourie, C., Le Gouezigou, O., Gaborit, F., Serre, F., Fortin, C., Ripoche, G., Pagnod, P., Jourdan, A., Ottolenghi, P., Landais, P., Duan, G.H.
Publikováno v:
Proceedings of 1994 IEEE 6th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM); 1994, p41-45, 5p
Autor:
Ripoche, G., Peyre, J.-L., Lambert, M., Mottet, S., Ripoche, G., Peyre, J.-L., Lambert, M., Mottet, S.
Publikováno v:
Journal de Physique III; September 1993, Vol. 3 Issue: 9 p1761-1767, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEE Proceedings: Part J: Optoelectronics; Jun1991, Vol. 138 Issue 3, p211-217, 7p
Publikováno v:
1975 International Electron Devices Meeting; 1975, p595-597, 3p
Publikováno v:
Journal de Physique III; September 1993, Vol. 3 Issue: 9 p1761-1767, 7p
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters; 1985, Vol. 6 Issue 12, p631-633, 3p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.