Zobrazeno 1 - 1 of 1 pro vyhledávání: '"Ringelmann, Tim"'
1
Akademický článek
Modelling and Evalaution of the Bidirectional Surge Current Robustness of Si(-IGBT and -Diode), SiC(-MOSFETs and -JFET) and GaN(-HEMTs) Devices.
Autor: Nehmer, Dominik1 (AUTHOR) dominik.nehmer@uni-bayreuth.de, Ringelmann, Tim1 (AUTHOR), Bakran, Mark-M.1 (AUTHOR) bakran@uni-bayreuth.de
Publikováno v: Energies (19961073). Sep2024, Vol. 17 Issue 17, p4362. 17p.
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje