Zobrazeno 1 - 10
of 652
pro vyhledávání: '"Riedl, T"'
Heteroepitaxy on nanopatterned substrates is a means of defect reduction at semiconductor heterointerfaces by exploiting substrate compliance and enhanced elastic lattice relaxation resulting from reduced dimensions. We explore this possibility in th
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1909.08480
Publikováno v:
Phys. Rev. Materials 4, 014602 (2020)
We analyze the shape and position of heteroepitaxial InAs islands on the top face of cylindrical GaAs(111)A nanopillars experimentally and theoretically. Catalyst-free molecular beam epitaxial growth of InAs at low temperatures on GaAs nanopillars re
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1909.07906
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2017 76-77:222-226
Publikováno v:
In Biosensors and Bioelectronics 15 January 2017 87:388-395
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Progress in Polymer Science December 2013 38(12):1805-1814
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September-November 2013 53(9-11):1413-1417
Publikováno v:
In Journal of Alloys and Compounds 15 September 2012 535:62-69