Zobrazeno 1 - 10
of 61
pro vyhledávání: '"Ridderbos, J."'
Autor:
Ungerer, J. H., Kwon, P. Chevalier, Patlatiuk, T., Ridderbos, J., Kononov, A., Sarmah, D., Bakkers, E. P. A. M., Zumbühl, D., Schönenberger, C.
Publikováno v:
Mater. Quantum. Technol. 3 031001 (2023)
Spin qubits in germanium are a promising contender for scalable quantum computers. Reading out of the spin and charge configuration of quantum dots formed in Ge/Si core/shell nanowires is typically performed by measuring the current through the nanow
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2211.00763
Magnetic, thermal, and topographic imaging with a nanometer-scale SQUID-on-cantilever scanning probe
Autor:
Wyss, M., Bagani, K., Jetter, D., Marchiori, E., Vervelaki, A., Gross, B., Ridderbos, J., Gliga, S., Schönenberger, C., Poggio, M.
Publikováno v:
Phys. Rev. Appl. 17, 034002 (2022)
Scanning superconducting quantum interference device (SQUID) microscopy is a magnetic imaging technique combining high-field sensitivity with nanometer-scale spatial resolution. State-of-the-art SQUID-on-tip probes are now playing an important role i
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2109.06774
Autor:
de Vries, F. K., Shen, J., Skolasinski, R. J., Nowak, M. P., Varjas, D., Wang, L., Wimmer, M., Ridderbos, J., Zwanenburg, F. A., Li, A., Koelling, S., Verheijen, M. A., Bakkers, E. P. A. M., Kouwenhoven, L. P.
Publikováno v:
Nanoletters 2018
Low dimensional semiconducting structures with strong spin-orbit interaction (SOI) and induced superconductivity attracted much interest in the search for topological superconductors. Both the strong SOI and hard superconducting gap are directly rela
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1806.01815
Autor:
Froning, F. N. M., Rehmann, M. K., Ridderbos, J., Brauns, M., Zwanenburg, F. A., Li, A., Bakkers, E. P. A. M., Zumbühl, D. M., Braakman, F. R.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 113, 073102 (Aug 15, 2018)
We report highly tunable control of holes in Ge/Si core/shell nanowires (NWs). We demonstrate the ability to create single quantum dots (QDs) of various sizes, with low hole occupation numbers and clearly observable excited states. For the smallest d
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1805.02532
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Spruijtenburg, P. C., Ridderbos, J., Mueller, F., Leenstra, A. W., Brauns, M., Aarnink, A. A. I., van der Wiel, W. G., Zwanenburg, F. A.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 102, 192105 (2013)
In this letter we report single-hole tunneling through a quantum dot in a two-dimensional hole gas, situated in a narrow-channel field-effect transistor in intrinsic silicon. Two layers of aluminum gate electrodes are defined on Si/SiO$_2$ using elec
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1304.2870
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.