Zobrazeno 1 - 10
of 256
pro vyhledávání: '"Richardson constant"'
Publikováno v:
Discover Materials, Vol 3, Iss 1, Pp 1-9 (2023)
Abstract Recently Fruit Dyes have achieved a significant interest as organic devices because of they are widely available, customizable and biodegradable. But low conductivity is one of the major limitations. Low conductivity is due to low charge inj
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c45d466a127247a19fd05cc2b7ae10d6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Sensors, Vol 15, Iss 5, Pp 11836-11853 (2015)
Detection of nuclear radiation such as alpha particles has become an important field of research in recent history due to nuclear threats and accidents. In this context; deoxyribonucleic acid (DNA) acting as an organic semiconducting material could b
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/57997ca14127492d88a88ec64ae8566f
Autor:
Arnab Kanti Karan, N. B. Manik
Publikováno v:
International Journal of Innovative Research in Physics. 2:62-67
The Richardson constant is one of the most important parameters to analyze the current conduction process in the metal organic Schottky contact. But there are very few reports available on the estimation of effective Richardson constant for the natur
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Animesh Biswas, Rajkumar Jana, Dhananjoy Das, Sayantan Sil, Joydeep Datta, Dirtha Sanyal, Partha Pratim Ray, Arka Dey
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 67:2082-2087
Here, we analyze inhomogeneities in the barrier height (BH) of Al/Cu5FeS4 Schottky device from the electrical ( ${I}$ – ${V}$ ) measurements with a temperature range between 303 and 408 K. The temperature-dependent performance of our fabricated dev
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 48:2061-2066
Energetically deposited graphitic carbon (C) is known to form high-endurance rectifying contacts to a variety of semiconductors. Graphitic contacts to n-type 6H-SiC have demonstrated current rectification ratios (at ± 1.5 V) up to 1:106. In this art