Zobrazeno 1 - 10
of 1 252
pro vyhledávání: '"Rich, GE"'
One of the most widely used active materials for phase-change memories (PCM), the ternary stoichiometric compound Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ (GST), has a low crystallization temperature of around 150$^\circ$C. One solution to achieve higher operating tempera
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2409.06463
A machine-learned interatomic potential for Ge-rich Ge$_x$Te alloys has been developed aiming at uncovering the kinetics of phase separation and crystallization in these materials. The results are of interest for the operation of embedded phase chang
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2404.15128
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
A self-consistent model for the simulation of Ge-rich Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ phase change memories is presented. Combining the multi-phase field model and a phase-aware electro-thermal solver, it reproduces the multi-physics behavior of the material. Sim
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2309.03768
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yunfan Liang, Shunda Chen, Xiaochen Jin, Damien West, Shui-Qing Yu, Tianshu Li, Shengbai Zhang
Publikováno v:
npj Computational Materials, Vol 10, Iss 1, Pp 1-7 (2024)
Abstract Despite the explosion of interest in topological materials over the last decades, their applications remain limited due to challenges in growth and incorporation with today’s microelectronics. As a potential bridge to close this gap, we in
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/98d410820a334b1282d8b5254a1e67ce
Autor:
Hans, Philipp1 (AUTHOR), Mocuta, Cristian2 (AUTHOR), Le-Friec, Yannick3 (AUTHOR), Boivin, Philippe4 (AUTHOR), Simola, Roberto4 (AUTHOR), Thomas, Olivier1 (AUTHOR) olivier.thomas@univ-amu.fr
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 9/14/2023, Vol. 134 Issue 10, p1-12. 12p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.