Zobrazeno 1 - 10 of 53 pro vyhledávání: '"Rhayem, J."'
2
Akademický článek
Low-frequency noise in low temperature unhydrogenated polysilicon thin film transistors
Autor: Mercha, A *, Rhayem, J, Pichon, L, Valenza, M, Routoure, J.M, Carin, R, Bonnaud, O, Rigaud, D
Publikováno v: In Microelectronics Reliability 2000 40(11):1891-1896
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
1/f noise modeling in long channel amorphous silicon thin film transistors.
Autor: Rhayem, J., Rigaud, D.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/2000, Vol. 87 Issue 4, p1983, 7p, 1 Diagram, 2 Charts, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
1/ f Noise in amorphous silicon thin film transistors: effect of scaling down
Autor: Rhayem, J a, Rigaud, D a, *, Valenza, M a, Szydlo, N b, Lebrun, H b
Publikováno v: In Solid State Electronics 1999 43(4):713-721
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
1/f noise investigations in small channel lenght amorphous silicon thin film transistors.
Autor: Rhayem, J., Valenza, M., Rigaud, D., Szydlo, N., Lebrun, H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 4/1/1998, Vol. 83 Issue 7, p3660, 8p, 2 Diagrams, 2 Charts, 13 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
1/f noise in metal-oxide-semiconductor transistors biased in weak inversionparameter extraction
Autor: Rhayem, J., Rigaud, D., Eya'A, A., Valenza, M., Hoffmann, A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2001, 89 (7), pp.4192-4194. ⟨10.1063/1.1343517⟩
International audience
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::9a3e0a9584d7bf9e12df80617b315654
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00323794
Zobrazit plný text záznamu
7
Conference
Novel 3D electro-thermal robustness optimization approach of super junction power MOSFETs under unclamped inductive switching.
Autor: Rhayem, J., Wieers, A., Vrbicky, A., Moens, P., Villamor-Baliarda, A., Roig, J., Vanmeerbeek, P., Irace, A., Riccio, M., Tack, M.
Publikováno v: 2012 28th Annual IEEE Semiconductor Thermal Measurement & Management Symposium (SEMI-THERM); 1/ 1/2012, p69-73, 5p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Conference
New methodology on electro-thermal characterization and modeling of large power drivers using lateral PNP BJTs.
Autor: Rhayem, J., Vrbicky, A., Blecic, R., Malena, P., Bychikhin, S., Pogany, D., Wieers, A., Baric, A., Tack, M.
Publikováno v: 2010 11th International Conference on Thermal, Mechanical & Multi-Physics Simulation & Experiments in Microelectronics & Microsystems (EuroSimE); 2010, p1-4, 4p
Zobrazit plný text záznamu
10
Conference
Electro-thermal characterization and simulation of integrated multi trenched XtreMOS power devices.
Autor: Rhayem, J., Besbes, B., Blecic, R., Bychikhin, S., Haberfehlner, G., Pogany, D., Desoete, B., Gillon, R., Wieers, A., Tack, M.
Publikováno v: 2010 16th International Workshop on Thermal Investigations of ICs & Systems (THERMINIC); 2010, p1-4, 4p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje