Zobrazeno 1 - 10
of 89
pro vyhledávání: '"Reznik, Rodion"'
Autor:
Lendyashova, Vera V., Ilkiv, Igor V., Talalaev, Vadim G., Shugabaev, Talgat, Reznik, Rodion R., Cirlin, George E.
The influence of growth regimes of the silicon capping layer on the optical properties of heterostructures with submonolayer InAs quantum dots embedded in a silicon matrix has been studied. The photoluminescence signal at 1650 nm from submonolayer qu
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2411.09295
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Leandro, Lorenzo, Gunnarsson, Christine P., Reznik, Rodion, Jöns, Klaus D., Shtrom, Igor, Khrebtov, Artem, Kasama, Takeshi, Zwiller, Valery, Cirlin, George, Akopian, Nika
Quantum dots tuned to atomic resonances represent an emerging field of hybrid quantum systems where the advantages of quantum dots and natural atoms can be combined. Embedding quantum dots in nanowires boosts these systems with a set of powerful poss
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1810.09183
Autor:
Dubrovskii, Vladimir G., Cirlin, George E., Kirilenko, Demid A., Kotlyar, Konstantin P., Makhov, Ivan S., Reznik, Rodion R., Gridchin, Vladislav O.
Publikováno v:
Nanoscale Horizons; Dec2024, Vol. 9 Issue 12, p2360-2367, 8p
Autor:
Yachmenev, Alexander E., Pushkarev, Sergey S., Reznik, Rodion R., Khabibullin, Rustam A., Ponomarev, Dmitry S.
Publikováno v:
In Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials May 2020 66(2)
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bondarenko, Dariya, Gridchin, Vladislav, Kotlyar, Konstantin, Reznik, Rodion, Kirilenko, Demid, Baranov, Artem, Dragunova, Anna, Kryzhanovskaya, Natalia, Maksimova, Alina, Cirlin, George
An approach to the fabrication of LED structure based on GaN nanowires with thick core-shell InGaN insertions with high indium content is studied. The results of optical measurements demonstrate the photoluminescence from the InGaN insertions in the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1c05fd4d4cd926a0fd604e9c53620845
Autor:
Ilkiv, Igor, Kotlyar, Konstantin, Kirilenko, Demid, Sharov, Vladislav, Reznik, Rodion, Cirlin, George
Germanium nanocrystals were grown on GaN nanowire sidewalls by molecular beam epitaxy. The transmission electron microscopy measurements revealed the formation of 6-10 nm in size Ge quantum dots, which exhibited diamond cubic crystal structure. Raman
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::62a06ba49ce32a785905aa044ee16b93