Zobrazeno 1 - 10 of 29 pro vyhledávání: '"Reuters, Benjamin"'
2
Polarization-optimized heterostructures with quaternary AlInGaN layers for novel group III nitride devices
Autor: Reuters, Benjamin
Publikováno v: Aachen : Publikationsserver der RWTH Aachen University (2016). = Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2015
Owing to their unique material properties, group III nitrides are attractive for the application in devices, e.g. heterostructure field effect transistors (HFETs) and light-emitting diodes (LEDs). Group III nitrides exhibit an inherent macroscopic to
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______791::6babe14f22348b82fe9d66f657f9ea83
https://publications.rwth-aachen.de/record/541115
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje