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pro vyhledávání: '"Retroespalhamento rutherford"'
Autor:
David Tetelbaum, Raquel Giulian, Alexey Mikhaylov, A. V. Almaev, Dmitry Korolev, Pedro Luis Grande, E. V. Okulich, Mahesh Kumar, Ashok Kumar, Charles A. Bolzan, Alena Nikolskaya, Anton Stepanov, Dmitry Nikolichev, Antônio BuaczikJr., D. Gogova
Publikováno v:
Journal of vacuum science & technology A: Vacuum, surfaces, and films. 2021. Vol. 39, № 3. P. 030802-1-030802-25
Repositório Institucional da UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
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Gallium oxide, and in particular its thermodynamically stable β-Ga2O3 phase, is within the most exciting materials in research and technology nowadays due to its unique properties. The very high breakdown electric field and the figure of merit rival
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::94c17a24bba61977e60ec46f5d3ac04a
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000896405
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Autor:
Ribas, Eduardo Garcia
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
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Semicondutores de gap grande são capazes de operar em situações extremas, como em alta potência, alta frequência e em ambientes hostis e, portanto, são de grande interesse tecnológico. Carbeto de Silício (SiC) apresenta estas características
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::8e7e3f073bddbf46ddc7e69fa2fdaec2
Publikováno v:
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Inspirados por resultados que mostram grande capacidade de seleção de spins em sistemas quirais, produzimos, principalmente em forma de filmes, óxidos tipo perovskita SrFeO3− com conhecida estrutura magnética helicoidal. Foi usando método quí
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/184662
Autor:
Coelho Júnior, Horácio
Publikováno v:
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O Nitreto de Gálio (GaN) é um semicondutor de gap direto, motivo de numerosas pesquisas científicas, principalmente devido a sua importância na fabricação de dispositivos de alta potência e optoeletrônicas. Ligas de GaN como InGaN e AlGaN, po
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/181012
Autor:
Bolzan, Charles Airton
Publikováno v:
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instacron:UFRGS
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Filmes de In(0.5-x)AlxSb0.5 foram depositados sobre substratos de SiO2/Si, a 420°C, por co-sputtering dos alvos de InSb, Al e Sb e as suas propriedades estruturais foram investigadas com o auxílio das técnicas de Grazing incidence X-ray diffractio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::0ab3c9b992e8f049bf77fa9fa9759433
Autor:
Salazar, Josiane Bueno
Publikováno v:
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Neste trabalho são apresentados os efeitos da irradiação iônica em lmes de InSb crescidos por epitaxia de feixe molecular e desbastamento iônico. As irradiações foram realizadas a temperatura ambiente, em incidência normal, com íons de Au a
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/173027
Autor:
Machado, Guilherme Josué
Publikováno v:
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A investigação das possibilidades do uso da energia solar tem se intensificado nas últimas décadas. Existem muitos desafios na busca de melhorar a eficiência de conversão de energia solar em outras formas de energia. Os diferenciados comportame
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/172107
Autor:
Bertol, Ana Paula Lamberti
Publikováno v:
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A determinação experiemntal da seção de choque de produção de raios X induzida por feixe de íons tem sido objeto de vários trabalhos nas últimas décadas, tendo em vista que este é um dos principais fatores que afetam a quantificação comp
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http://hdl.handle.net/10183/172094
Autor:
Sulzbach, Milena Cervo
Publikováno v:
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Neste trabalho foi desenvolvido um estudo sistemático dos mecanismos de difusão responsáveis pelo switching de resistência em memórias resistivas. Essas memórias possuem estrutura semelhante a de um capacitor, a qual sofre uma transição de re
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http://hdl.handle.net/10183/163763
Autor:
Copetti, Gabriela
Publikováno v:
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A instabilidade térmica do óxido de germânio (GeO2) é um obstáculo à utilização de germânio (Ge) como material semicondutor em dispositivos MOSFET. Essa instabilidade é induzida por vacâncias de oxigênio originadas de uma reação interfa
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/131392