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pro vyhledávání: '"Resistives Schalten"'
Autor:
Slesazeck, Stefan, Mikolajick, Thomas
In this review the different concepts of nanoscale resistive switching memory devices are described and classified according to their I–V behaviour and the underlying physical switching mechanisms. By means of the most important representative devi
Externí odkaz:
https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A82059
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A82059/attachment/ATT-0/
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A82059/attachment/ATT-0/
Autor:
Park, Seongae
Auf Mehrlagen-Metalloxiden basierende memristive Bauelemente sind einer der vielversprechendsten Kandidaten für neuromorphes Computing. Allerdings stellen spezifische Anwendungen des neuromorphen Computings unterschiedliche Anforderungen an die memr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::90950fa12dda3630f72435b65d166a6f
Autor:
Rayapati, Venkata Rao
A memristor is a two-terminal device which exhibits a hysteresis loop in the current-voltage characteristics. Resistive switching refers to reversible non-volatile change in state of the resistance. There exists a wide range of materials which show r
Autor:
Stöver, Julian
Diese Arbeit beschäftigt sich mit den elektrischen Eigenschaften der resistiven Schaltmaterialien SrTiO3 und NbO2. Im ersten Teil werden NbO2 (001)-Dünnschichten untersucht. Bisher sind die für NbO2-Dünnschichten in der isolierenden Phase gemesse
Externí odkaz:
http://edoc.hu-berlin.de/18452/23871
Autor:
Max, Benjamin
In den kommenden Jahren ist eine deutliche Erhöhung des digitalen Speicherbedarfs zu erwarten, was neue Anforderungen an künftige Speichertechnologien und –architekturen bringt. Hafniumoxid ist aktuell das Standard-Gatedielektrikum für Transisto
Externí odkaz:
https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A75163
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A75163/attachment/ATT-0/
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A75163/attachment/ATT-0/
Autor:
Schönhals, Alexander
Publikováno v:
Aachen 1 Online-Ressource (125 Seiten) : Illustrationen, Diagramme (2018). doi:10.18154/RWTH-2019-08592 = Dissertation, Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen, 2018
Dissertation, Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen, 2018; Aachen 1 Online-Ressource (125 Seiten) : Illustrationen, Diagramme (2018). = Dissertation, Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen, 2018
The rapid progress of
The rapid progress of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f419add1ab02f053c6bc07e7915a34f4
Autor:
Putzschke, Solveig
Das Konzept neuartiger, resistiv schaltender Langzeitspeicherzellen sieht eine enorme Erhöhung der Speicherdichte bei gleichzeitig geringem Energieverbrauch und hoher Skalierbarkeit vor. In diesem Zusammenhang sind unterschiedlichste Übergangsmetal
Externí odkaz:
https://tubaf.qucosa.de/id/qucosa%3A23118
https://tubaf.qucosa.de/api/qucosa%3A23118/attachment/ATT-0/
https://tubaf.qucosa.de/api/qucosa%3A23118/attachment/ATT-0/
Autor:
Dirkmann, Sven (M. Sc.)
Die Entwicklung bestehender und neuer memristiver Bauelemente setzt ein genaues Verständnis des physikalischen Verhaltens dieser voraus. Im Rahmen dieser Arbeit wurden Simulationsmodelle für unterschiedliche memristive Bauelemente entwickelt, die m
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3579::1ddbb91fe528a557ed07a7a0f306b1eb
https://hss-opus.ub.ruhr-uni-bochum.de/opus4/frontdoor/index/index/docId/5858
https://hss-opus.ub.ruhr-uni-bochum.de/opus4/frontdoor/index/index/docId/5858
Autor:
Thomas Mikolajick, Stefan Slesazeck
Publikováno v:
Nanotechnology. 30:352003
In this review the different concepts of nanoscale resistive switching memory devices are described and classified according to their I-V behaviour and the underlying physical switching mechanisms. By means of the most important representative device
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::30a0a57bcfb3b628dad14160f1c2b278
https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab2084
https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab2084
Autor:
You, Tiangui
The downscaling of transistors is assumed to come to an end within the next years, and the semiconductor nonvolatile memories are facing the same physical downscaling challenge. Therefore, it is necessary to consider new computing paradigms and new m