Zobrazeno 1 - 10
of 36
pro vyhledávání: '"Resistance and inductance"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Nicole Doumit, J.P. Chatelon, M.-F. Blanc-Mignon, Jean Jacques Rousseau, Bonaventure Danoumbé, S. Capraro
Publikováno v:
Microelectronics Reliability
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2017, 72, pp.30-33. ⟨10.1016/j.microrel.2017.03.037⟩
Elsevier
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2017, 72, pp.30-33. ⟨10.1016/j.microrel.2017.03.037⟩
Elsevier
This article is devoted to the inductance and resistance evolution of a coreless inductor depending on temperature. The inductors are fabricated of thin copper films deposited on an alumina substrate and characterized up to 10 MHz with an impedance a
This article presents a general projection vector framework for the analysis of flux and position observers applied to sensorless control of synchronous reluctance (SyR) machines, with emphasis to parametric errors sensitivity. The stator resistance
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0404186dcbc4594589afcd4976aff9fb
http://hdl.handle.net/11583/2840431
http://hdl.handle.net/11583/2840431
Autor:
Kristjan Kalam, Tõnis Arroval, Helena Castán, Aile Tamm, Salvador Dueñas, Kaupo Kukli, M. Mikko
Publikováno v:
UVaDOC: Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
Universidad de Valladolid
UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
instname
Universidad de Valladolid
UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
instname
Producción Científica
A comparative study of MIM-RRAM structures with different insulator materials is presented. Admittance memory mapping was carried out at 0 V dc bias, revealing two clearly separated states, both in terms of conductance an
A comparative study of MIM-RRAM structures with different insulator materials is presented. Admittance memory mapping was carried out at 0 V dc bias, revealing two clearly separated states, both in terms of conductance an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::075999d177a147a8d5e643983b6ce5e9
https://doi.org/10.1149/08508.0201ecst
https://doi.org/10.1149/08508.0201ecst
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Menshov, Anton
Accurate modeling of current flow and network parameter extraction in 2-D and 3-D conductors has an important application in signal integrity of high-speed interconnects. In this thesis, we propose a new rigorous single-source Surface-Volume-Surface
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/1993/23439
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.