Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"Repin, E. V."'
Autor:
Repin, E. V., Nazarov, Y. V.
The technology of superconductor-semiconductor nanowire devices has matured in the last years in the quest for topological quantum computing. This makes it feasible to make more complex and sophisticated devices. We investigate multi-terminal superco
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2010.11494
Autor:
Repin, E. V., Nazarov, Y. V.
In this Article we address the definition and values of topological numbers of the manifolds of wavefunctions - bands obtained by quantum superposition of the wavefunctions that belong to topologically distinct manifolds. The problem, although simple
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1905.12376
Autor:
Burmistrov, I. S., Repin, E. V.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 98, 045414 (2018)
We study the quantum corrections to the conductivity of the two-dimensional disordered interacting electron system in the diffusive regime due to inelastic scattering off rare magnetic impurities. We focus on the case of very different g-factors for
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1804.04695
Autor:
Repin, E. V., Burmistrov, I. S.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 94, 245442 (2016)
Using the two-loop analysis and the background field method we demonstrate that the local pure scaling operators without derivatives in the Finkel'stein nonlinear sigma model can be constructed by straightforward generalization of the corresponding o
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1609.02699
Autor:
Repin, E. V., Burmistrov, I. S.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 93, 165425 (2016)
We explore the inelastic electron scattering cross section off a quantum dot close to the Stoner instability. We focus on the regime of strong Coulomb blockade in which the scattering cross section is dominated by the cotunneling processes. For large
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1601.06381
Autor:
Repin, E. V., Stolyarov, V. S., Cren, T., Brun, C., Bozhko, S. I., Yashina, L. V., Roditchev, D., Burmistrov, I. S.
We explore a combined effect of hexagonal warping and of finite effective mass on both the tunneling density of electronic states (TDOS) and structure of Landau levels (LLs) of 3D topological insulators. We find the increasing warping to transform th
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1408.6960
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::2b4a466de1124e5381c8f528a6474c0d
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84860238660&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84860238660&partnerID=MN8TOARS