Zobrazeno 1 - 10
of 37
pro vyhledávání: '"Renz, A. Benjamin"'
Autor:
Qi, Yunyi, Gammon, Peter Michael, Renz, Arne Benjamin, Kotagama, Viren, Clarke Baker, Guy William, Antoniou, Marina
Publikováno v:
In Power Electronic Devices and Components August 2024 8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Colston, Gerard, Renz, Arne Benjamin, Perera, Kushani, Gammon, Peter Michael, Antoniou, Marina, Mawby, Philip Andrew, Shah, Vishal Ajit
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; August 2024, Vol. 362 Issue: 1 p77-81, 5p
Autor:
Kotagama, Virendra, Renz, Arne Benjamin, Kilchytska, Valeria, Flandre, Denis, Qi, Yunyi, Shah, Vishal Ajit, Antoniou, Marina, Gammon, Peter Michael
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; August 2024, Vol. 362 Issue: 1 p83-88, 6p
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; August 2024, Vol. 361 Issue: 1 p99-104, 6p
Autor:
Cao, Qinze, Gammon, Peter Michael, Renz, Arne Benjamin, Antoniou, Marina, Mawby, Philip Andrew, Lophitis, Neophytos
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; August 2024, Vol. 360 Issue: 1 p177-182, 6p
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; August 2024, Vol. 358 Issue: 1 p97-102, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Renz, Arne Benjamin, Vavasour, Oliver James, Pérez-Tomás, Amador, Cao, Qin Ze, Shah, Vishal, Bonyadi, Yeganeh, Pathirana, Vasantha, Trajkovic, Tanya, Baker, G. W.C., Mawby, Phil, Gammon, Peter
A systematic study is presented into the impact of a P2O5 surface passivation treatment, carried out prior to the deposition of a high refactory metal contact to 3.3 kV JBS diodes. Electrical results from Mo, W and Nb diodes reveal that those diodes
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::5bad371ed10260abeddfb72fe7d4b034
http://wrap.warwick.ac.uk/166204/1/WRAP-engineering-Schottky-interface-3.3-kV-SiC-JBS-diodes-using-P2O5-surface-passivation-treatment-2022.pdf
http://wrap.warwick.ac.uk/166204/1/WRAP-engineering-Schottky-interface-3.3-kV-SiC-JBS-diodes-using-P2O5-surface-passivation-treatment-2022.pdf
