Zobrazeno 1 - 10
of 49
pro vyhledávání: '"Renz, A. B."'
Publikováno v:
Espergesia, Vol 9, Iss 1, Pp 23-34 (2022)
The COVID-19 pandemic brought tremendous change to everyone's lifestyle as well as the social, political, and economic landscape. This novel global health crisis has challenged every state's healthcare system regardless of being a highly developed, n
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8d92e123761e4192b2466a98e91973dd
Autor:
Delda, Ray Noel M., del Rosario, Renz Lui B., Tuazon, Brian Jumaquio, Robles, Gerald S., Villablanca, Madelene Velasco, Espino, Michaela T., Dizon, John Ryan C.
Publikováno v:
Materials Science Forum; March 2024, Vol. 1118 Issue: 1 p93-98, 6p
Autor:
Gerald Sanqui Robles, Ray Noel M. Delda, Renz Lui B. Del Rosario, Michaela T. Espino, John Ryan C. Dizon
Publikováno v:
Key Engineering Materials. 913:17-25
The adoption of Additive Manufacturing (AM) is continuously growing due to its capability to produce complex shapes which leads to the dependence of manufacturers on AM to replace conventional manufacturing processes. One important focus of research
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5cf3fd30ecb4fca18575d7fdbf440c0b
https://doi.org/10.4028/p-nxviqm
https://doi.org/10.4028/p-nxviqm
Publikováno v:
2022 IEEE 14th International Conference on Humanoid, Nanotechnology, Information Technology, Communication and Control, Environment, and Management (HNICEM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::abaec281b37f1e1fcfcfff69089d0183
https://doi.org/10.1109/hnicem57413.2022.10109280
https://doi.org/10.1109/hnicem57413.2022.10109280
Autor:
Renz, A. B., Shah, V. A., Vavasour, O. J., Bonyadi, Y., Li, F., Dai, T., Baker, G. W. C., Hindmarsh, S., Han, Y., Walker, M., Sharma, Y., Liu, Y., Raghothamachar, B., Dudley, M., Mawby, P. A., Gammon, P. M.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 1/14/2020, Vol. 127 Issue 2, p1-9, 9p, 4 Diagrams, 2 Charts, 4 Graphs
Autor:
Renz, A. B., Vavasour, Oliver J., Gammon, Peter M., Li, Fan, Dai, Tianxiang, Baker, G. W. C., Grant, Nicholas E., Murphy, John D., Mawby, Philip A., Shah, Vishal
A systematic capacitance-voltage (C-V) and time-dependent dielectric breakdown (TDDB) study on silicon carbide (SiC) metal-oxide-semiconductor capacitors (MOSCAPs) that use silicon dioxide (SiO2) is shown in this paper. Oxides were formed using atomi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::d185bdc642d0e314379380cc57ea2aa5
http://wrap.warwick.ac.uk/168129/1/WRAP-improved-reliability-performance-post-deposition-annealed-ALD-SiO2-2022.pdf
http://wrap.warwick.ac.uk/168129/1/WRAP-improved-reliability-performance-post-deposition-annealed-ALD-SiO2-2022.pdf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.