Implementation and study of quasi two dimensional thin film field effect transistors

Autor: Renkert, Sven

Publikováno v: General Physics [physics.gen-ph]. Université de Haute Alsace-Mulhouse; Albert-Ludwigs-Universität (Freiburg im Breisgau, Allemagne), 2020. English. ⟨NNT : 2020MULH1178⟩

Organische Feldeffekt-Transistoren (FETs) können einfach und kostengünstig hergestellt werden, indem man dünne Filme eines organischen Halbleitermaterials auf die Oberfläche eines Siliziumswafers mit geeigneter Oxidschichtdicke (etwa 100 nm bis 2

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1398::ba21b0df6e57e8e2d86eb42f9e456b80
https://theses.hal.science/tel-03554505/file/2020MULH1178_these_RENKERT.pdf