Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Ren Jia-Dong"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
The effect of oxygen plasma ashing on the resistance of TiN bottom electrode for phase change memory
Autor:
Liu Bo, Gao Dan, Zhan Yipeng, Li Juntao, Li Ying, Feng Song-Lin, Xu Zhen, Zhu Nanfei, Lü Shilong, Ren Jia-Dong, Wu Hanming, Song Zhi-Tang, Ren Wan-Chun
Publikováno v:
Journal of Semiconductors. 36:056001
Phase change memory (PCM) has been regarded as a promising candidate for the next generation of nonvolatile memory. To decrease the power required to reset the PCM cell, titanium nitride (TiN) is preferred to be used as the bottom electrode of PCM du
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c672a8277de396161e096ee2e49d1c88
https://doi.org/10.1088/1674-4926/36/5/056001
https://doi.org/10.1088/1674-4926/36/5/056001
Autor:
Ren Kun, Ren Wan-Chun, Xu Jia, Li Juntao, Song Zhi-Tang, Tong Hao, Liu Bo, Ren Jia-Dong, Zhu Min, Feng Gao-Ming
Publikováno v:
Chinese Physics B. 23:087804
In the fabrication of phase change random access memory (PRAM) devices, high temperature thermal processes are inevitable. We investigate the thermal stability of Ge2Sb2Te5 (GST) which is a prototypical phase change material. After high temperature p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c45cd3339bc24cad8e74424948620e79
https://doi.org/10.1088/1674-1056/23/8/087804
https://doi.org/10.1088/1674-1056/23/8/087804
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Mechanics and Materials; September 2012, Vol. 197 Issue: 1 p283-291, 9p
Publikováno v:
Advanced Materials Research; April 2011, Vol. 225 Issue: 1 p422-427, 6p