Zobrazeno 1 - 10
of 36
pro vyhledávání: '"Ren, Zheng‐Wei"'
Autor:
Chu, Cheng-Jin, Weiner, Jacob, Maestre, Fernando T., Xiao, Sa, Wang, You-Shi, Li, Qi, Yuan, Jian-Li, Zhao, Lu-Qiang, Ren, Zheng-Wei, Wang, Gang
Publikováno v:
Journal of Ecology, 2009 Nov 01. 97(6), 1401-1407.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/27754335
Publikováno v:
In Journal of Fuel Chemistry and Technology 2008 36(6):666-671
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Fuel Processing Technology. 75:165-171
Coliquefaction of coal and sawdust in the presence of catalysts was studied under cold hydrogen pressure from 2.04 to 4.76 MPa in the temperature range of 300–400 °C. In terms of overall conversion, yields and increment values from comparisons, in
Autor:
Wei Sihang, Liao Yongping, Ren Zheng-Wei, Han Xi, Xiang Wei, HE Zhen-Hong, Niu Zhi-Chuan, Wang Guo-Wei, Hao Hong-Yue, Xu Yingqiang
Publikováno v:
Chinese Physics Letters. 32:107302
The roughness and the crystallographic orientation selectivity of etched antimonide-based infrared materials are examined and are used to optimize the chemical mesa etching process of the InAs/GaSb superlattice photodiode with the goal of reducing th
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zhang Yu, Ren Zheng-Wei, Wang Guo-Wei, Xiang Wei, Niu Zhi-Chuan, Xing Junliang, Xu Yingqiang, Wang Juan, Ni Hai-Qiao, HE Zhen-Hong
Publikováno v:
Chinese Physics B. 23:017805
The GaSb-based laser shows its superiority in the 3–4 μm wavelength range. However, for a quantum well (QW) laser structure of InGaAsSb/AlGaInAsSb multiple-quantum well (MQW) grown on GaSb, uniform content and high compressive strain in InGaAsSb/A
Autor:
Xing Junliang, Ren Zheng-Wei, Xiang Wei, Peng Zhen-Yu, Wang Juan, Wang Guo-Wei, Si Junjie, Zhang Liang, Niu Zhi-Chuan, Xu Yingqiang, Lü Yanqiu
Publikováno v:
Journal of Semiconductors. 34:114012
We present the fabrication of a mid-wavelength infrared focal plane array (FPA) based on type-II InAs/GaSb strain layer superlattices (SLs). The detectors contain a 400-period 8 ML InAs/8 ML GaSb SL active layer, which is grown by solid source molecu
Publikováno v:
Journal of Renewable and Sustainable Energy. 5:043125
In this paper, dilute acid pretreatment of bagasse pith was investigated at low temperature. Process parameters varied including mass ratio of liquid to solid (r = 6:1–12:1 l/kg), reaction temperature (T = 100 °C–130 °C), and acid concentration