Zobrazeno 1 - 10
of 25
pro vyhledávání: '"Ren, Chunjiang"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Chinese Physics Letters. 24:2707-2709
We report on the fabrication and characterization of phototransistors based on AlGaN/GaN heterostructure grown over 6H-SiC substrates. The device has two functions: as a high electron mobility transistor (HEMT) and an ultraviolet photodetector at the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0e04d8b12a664e041a1804c1e63b5ebd
https://doi.org/10.1088/0256-307x/24/9/068
https://doi.org/10.1088/0256-307x/24/9/068
Publikováno v:
Journal of Semiconductors. 37:084002
Ku-band GaN power transistor with output power over 100 W under the pulsed operation mode is presented. A high temperature A1N nucleation together with an Fe doped GaN buffer was introduced for the developed GaN HEMT. The AlGaN/GaN hetero-structure d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::90f3b59a9eb312f08fbbca1682ae345e
https://doi.org/10.1088/1674-4926/37/8/084002
https://doi.org/10.1088/1674-4926/37/8/084002
Publikováno v:
Journal of Semiconductors. 36:014008
0.25 μm GaN HEMT with AlGaN back barrier for high power switch application has been presented. By introducing AlGaN back barrier, the buffer layer breakdown voltage for the metal-organic chemical vapor deposited AlGaN/GaN hetero-structure on 3-inch
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::90e575566113bf8b9d31811d9a4ca125
https://doi.org/10.1088/1674-4926/36/1/014008
https://doi.org/10.1088/1674-4926/36/1/014008
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Semiconductors. 34:064002
SiN dielectrically-defined 0.15 μm field plated GaN HEMTs for millimeter-wave application have been presented. The AlGaN/GaN hetero-structure epitaxial material for HEMTs fabrication was grown on a 3-inch SiC substrate with an Fe doped GaN buffer la
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6cb99345594bf9b2850b36a2baaadb09
https://doi.org/10.1088/1674-4926/34/6/064002
https://doi.org/10.1088/1674-4926/34/6/064002
Publikováno v:
Proceedings of 2014 3rd Asia-Pacific Conference on Antennas & Propagation; 2014, p1342-1344, 3p