Zobrazeno 1 - 4 of 4 pro vyhledávání: '"Reihl, R. F."'
1
Akademický článek
The effect of phosphorus ion implantation on molybdenum/silicon contacts.
Autor: Chiang, S. W., Chow, T. P., Reihl, R. F., Wang, K. L.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jun1981, Vol. 52 Issue 6, p4027-4032, 6p
Zobrazit plný text záznamu
2
Periodical
Fingerprinting diamonds using ion implantation
Autor: DeVries, R. C., Reihl, R. F., Tuft, R. E.
Publikováno v: Journal of Materials Science; February 1989, Vol. 24 Issue: 2 p505-509, 5p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Migration of implanted indium in silicon as a function of thermal annealing.
Autor: Reihl, R. F., Smith, G. A., Katz, W., Koch, E. F.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 1983, Vol. 42 Issue 7, p575-577, 3p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Oxidation of silicon by ion implantation and laser irradiation.
Autor: Chiang, S. W., Liu, Y. S., Reihl, R. F.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 1981, Vol. 39 Issue 9, p752-754, 3p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje