Zobrazeno 1 - 10
of 97
pro vyhledávání: '"Reifenberger, Ronald G."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Vallejo-Melgarejo, Laura D., Reifenberger, Ronald G., Newell, Brittany A., Narváez-Tovar, Carlos A., Garcia-Bravo, José M.
Publikováno v:
Rapid Prototyping Journal, 2019, Vol. 25, Issue 10, pp. 1684-1694.
Externí odkaz:
http://www.emeraldinsight.com/doi/10.1108/RPJ-03-2019-0074
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Prakash, Gyan, Capano, Michael A., Bolen, Michael L., Zemlyanov, Dmitry, Reifenberger, Ronald G.
Publikováno v:
In Carbon August 2010 48(9):2383-2393
Autor:
Robinson, Vance S., Show, Yoshiyuki, Swain, Greg M., Reifenberger, Ronald G., Fisher, Timothy S.
Publikováno v:
In Diamond & Related Materials 2006 15(10):1601-1608
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gharachorlou, Amir, Detwiler, Michael D., Gu, Xiang-Kui, Mayr, Lukas, Klötzer, Bernhard, Greeley, Jeffrey, Reifenberger, Ronald G., Delgass, W. Nicholas, Ribeiro, Fabio H., Zemlyanov, Dmitry Y.
Publikováno v:
ACS Applied Materials & Interfaces
Atomic layer deposition (ALD) of alumina using trimethylaluminum (TMA) has technological importance in microelectronics. This process has demonstrated a high potential in applications of protective coatings on Cu surfaces for control of diffusion of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::3e29ac2168d5bd4e6e30e092ef953d3f
http://europepmc.org/articles/PMC4528256
http://europepmc.org/articles/PMC4528256
Publikováno v:
Nanotechnology; 11/6/2020, Vol. 31 Issue 45, p1-17, 17p
Autor:
Tung, Ryan C., Wutscher, Thorsten, Martinez-Martin, David, Reifenberger, Ronald G., Giessibl, Franz, Raman, Arvind
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Jun2010, Vol. 107 Issue 10, p104508-104508-8, 8p, 2 Color Photographs, 1 Diagram, 2 Charts, 5 Graphs