Zobrazeno 1 - 10 of 37 pro vyhledávání: '"Regolin, Ingo"'
2
Akademický článek
n-Type Doping of Vapor–Liquid–Solid Grown GaAs Nanowires
Autor: Gutsche Christoph, Lysov Andrey, Regolin Ingo, Blekker Kai, Prost Werner, Tegude Franz-Josef
Publikováno v: Nanoscale Research Letters, Vol 6, Iss 1, p 65 (2011)
Abstract In this letter, n-type doping of GaAs nanowires grown by metal–organic vapor phase epitaxy in the vapor–liquid–solid growth mode on (111)B GaAs substrates is reported. A low growth temperature of 400°C is adjusted in order to exclude
Externí odkaz: https://doaj.org/article/5a6cab4a2dc4424abd07d7e58f588556
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Controllable p-type doping of GaAs nanowires during vapor-liquid-solid growth.
Autor: Gutsche, Christoph, Regolin, Ingo, Blekker, Kai, Lysov, Andrey, Prost, Werner, Tegude, Franz J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jan2009, Vol. 105 Issue 2, pN.PAG, 5p, 1 Diagram, 1 Chart, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
GaAs whiskers grown by metal-organic vapor-phase epitaxy using Fe nanoparticles.
Autor: Regolin, Ingo, Khorenko, Victor, Prost, Werner, Tegude, Franz J., Sudfeld, Daniela, Kästner, Jochen, Dumpich, Günter, Hitzbleck, Klemens, Wiggers, Hartmut
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/1/2007, Vol. 101 Issue 5, p054318-N.Pag, 5p, 2 Diagrams, 1 Graph
Zobrazit plný text záznamu
10
Elektronická kniha
Wachstum von Nanodrähten mittels der Metallorganischen Gasphasenepitaxie
Autor: Regolin, Ingo
Im Rahmen dieser Dissertation wurde das Wachstum von III/V Nanodrähten mittels MOVPE entwickelt. Dabei wurde unter der Bearbeitung verschiedener Teilbereiche die Grundlage geschaffen, um elektronische und optoelektronische Nanodrahtbauelemente herzu
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje