Process challenges and perspectives of vertical GaN power transistors on foreign substrates

Autor: Huber, Christian, Regensburger, S., Bahat-Treidel, E., Medjdoub, F, Baringhaus, Jens

Publikováno v: Proceeding of IWN2022
International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022
International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022, Oct 2022, Berlin, Germany

International audience; Despite considerable progress in their process technology during the last years, vertical GaN power transistors are currently not finding market entry due to the small size and high cost of native GaN substrates. This issue ca

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::1e6dbb268498357007e4da4bb1aac28a
https://hal.science/hal-03829109/file/Abstract_Hu_IWN_2022_submission.pdf

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Broadband Terahertz Detection With Zero-Bias Field-Effect Transistors Between 100 GHz and 11.8 THz With a Noise Equivalent Power of 250 pW/√Hz at 0.6 THz

Autor: Regensburger, S., Mukherjee, A. K., Schönhuber, S., Kainz, M. A., Winnerl, S., Klopf, J. M., Lu, H., Gossard, A. C., Unterrainer, K., Preu, S.

Publikováno v: IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology 8(2018), 465-471

We demonstrate UV contact lithographically fabricated III–V field-effect transistors (FETs) examined over a bandwidth of 100 GHz–11.8 THz. The zero-bias device reaches a noise equivalent power as low as 250 pW/√Hz at 0.6 THz, which then increas

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::a7b7ce065063de8ae2247e5bd998ad91
https://www.hzdr.de/publications/Publ-27949-1

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.