Zobrazeno 1 - 10
of 54
pro vyhledávání: '"Redjem, W."'
Autor:
Jhuria, K., Ivanov, V., Polley, D., Liu, W., Persaud, A., Zhiyenbayev, Y., Redjem, W., Qarony, W., Parajuli, P., Ji, Qing, Gonsalves, A. J., Bokor, J., Tan, L. Z., Kante, B., Schenkel, T.
Silicon-based quantum emitters are candidates for large-scale qubit integration due to their single-photon emission properties and potential for spin-photon interfaces with long spin coherence times. Here, we demonstrate local writing and erasing of
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2307.05759
Autor:
Durand, A., Baron, Y., Redjem, W., Herzig, T., Benali, A., Pezzagna, S., Meijer, J., Kuznetsov, A. Yu., Gérard, J. -M., Robert-Philip, I., Abbarchi, M., Jacques, V., Cassabois, G., Dréau, A.
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 126, 083602 (2021)
We report the detection of individual emitters in silicon belonging to seven different families of optically-active point defects. These fluorescent centers are created by carbon implantation of a commercial silicon-on-insulator wafer usually employe
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2010.11068
Autor:
Redjem, W., Durand, A., Herzig, T., Benali, A., Pezzagna, S., Meijer, J., Kuznetsov, A. Yu., Nguyen, H. S., Cueff, S., Gérard, J. -M., Robert-Philip, I., Gil, B., Caliste, D., Pochet, P., Abbarchi, M., Jacques, V., Dréau, A., Cassabois, G.
Publikováno v:
Nature Electronics 3, 738-743 (2020)
Given its unrivaled potential of integration and scalability, silicon is likely to become a key platform for large-scale quantum technologies. Individual electron-encoded artificial atoms either formed by impurities or quantum dots have emerged as a
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2001.02136
Autor:
Beaufils, C., Redjem, W., Rousseau, E., Jacques, V., Kuznetsov, A. Yu., Raynaud, C., Voisin, C., Benali, A., Herzig, T., Pezzagna, S., Meijer, J., Abbarchi, M., Cassabois, G.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 97, 035303 (2018)
We addressed the carrier dynamics in so-called G-centers in silicon (consisting of substitutional-interstitial carbon pairs interacting with interstitial silicons) obtained via ion implantation into a silicon-on-insulator wafer. For this point defect
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1708.05238
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Scheuer, Jacob, Shahriar, Selim M., Jhuria, K., Ivanov, V., Polley, D., Liu, W., Persaud, A., Zhiyenbayev, Y., Redjem, W., Qarony, W., Parajuli, P., Ji, Qing, Gonsalves, A. J., Bokor, J., Tan, L. Z., Kanté, B., Schenkel, T.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; March 2024, Vol. 12912 Issue: 1 p129120P-129120P-9, 1162090p
Autor:
Redjem, W, Zhiyenbayev, Y, Qarony, W, Ivanov, V, Papapanos, C, Liu, W, Jhuria, K, Al Balushi, ZY, Dhuey, S, Schwartzberg, A, Tan, LZ, Schenkel, T, Kanté, B
Publikováno v:
Nature communications, vol 14, iss 1
Silicon is the most scalable optoelectronic material, and it has revolutionized our lives in many ways. The prospect of quantum optics in silicon is an exciting avenue because it has the potential to address the scaling and integration challenges, th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::52cc2c6fe69c192f9e313186b06d9bc4
Autor:
Durand, A., Baron, Y., Redjem, W., Herzig, T., Benali, A., Pezzagna, S., Meijer, J., Kuznetsov, Andrej, Gérard, J.-M., Robert-Philip, I., Abbarchi, M., Jacques, V., Cassabois, G., Dréau, A.
Publikováno v:
Durand, A. Baron, Y. Redjem, W. Herzig, T. Benali, A. Pezzagna, S. Meijer, J. Kuznetsov, Andrej Gérard, J.-M. Robert-Philip, I. Abbarchi, M. Jacques, V. Cassabois, G. Dréau, A. . Broad Diversity of Near-Infrared Single-Photon Emitters in Silicon. Physical Review Letters. 2021, 126(8)
Physical Review Letters
Physical Review Letters
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10852/93055
https://www.duo.uio.no/bitstream/handle/10852/93055/1/PhysRevLett.126.083602.pdf
https://www.duo.uio.no/bitstream/handle/10852/93055/1/PhysRevLett.126.083602.pdf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.