Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Reddy, Y. K. Vayunandana"'
Autor:
Reddy, Y. K. Vayunandana, Guegan, Guillaume, Lamhamdi, Mohamed, Grimal, Virginie, Simon, Patrick
To engineer strain relaxation of sputtered BST thin films on Pt-Si wafers, homo-buffer layer method was applied to eliminate Pt hillock formation. Thin BST homo-buffer layers were deposited at room temperature and subsequently the main BST layer was
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1309.1615
Ba0.6Sr0.4TiO3 and (Ba0.6Sr0.4)(Zr0.3Ti0.7)O3 thin films were deposited on La0.9Sr1.1NiO4 buffered SrTiO3 substrates. (Ba0.6Sr0.4)(Zr0.3Ti0.7)O3 film (2.77 nF) showed one order large capacitance compared to that of Ba0.6Sr0.4TiO3 film (270 pF) at 100
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0908.1140
(Ba0.6Sr0.4)(Zr0.3Ti0.7)O3 thin films were grown on IrO2 and Pt coated Si substrates. Film on Pt electrode showed large dielectric dispersion at lower frequency and on other hand film on IrO2 showed dielectric constant almost independent with frequen
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0908.0720
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.