Zobrazeno 1 - 10
of 492
pro vyhledávání: '"Reactive plasma etching"'
Publikováno v:
In Applied Surface Science 31 July 2017 411:182-188
Publikováno v:
Applied Physics Letters, 104, 052604 (2014)
We present the preparation and measurements of nanowires of single-crystal NbSe$_2$. These nanowires were prepared on ultrathin ($\lesssim10\text{ nm}$) flakes of NbSe$_2$ mechanically exfoliated from a bulk single crystal using a process combining e
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1311.1773
Publikováno v:
Applied Surface Science Advances, Vol 23, Iss , Pp 100636- (2024)
Pattern transfer by plasma etching is a traditional standard technology in microelectronics and other micron technologies. These technologies require vacuum conditions, which limit throughput, size, and low-cost fabrication. Recent developments in lo
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c7dfe5a2aca84f909f1c667bb7b62692
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Surface Science. 411:182-188
Two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides (TMDs) like molybdenum diselenide (MoSe 2 ) have recently gained considerable interest since their properties are complementary to those of graphene. Unlike gapless graphene, the band structure of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::badecdebdb13f0249365f21910a01608
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.03.159
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.03.159
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Russian Microelectronics. 42:212-219
The plasma parameters and mechanisms of gallium arsenide (GaAs) reactive plasma etching in HCl-Ar and HCl-Cl2 mixtures under constant-current glow discharge conditions were investigated. The mathematical simulation of plasma helped to establish that
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f16c29c823227aae0efbaf4f17583593
https://doi.org/10.1134/s1063739713040021
https://doi.org/10.1134/s1063739713040021