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Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica
INAOE
Repositorio Institucional del INAOE
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La continua reducción de los dispositivos MOSFET ha permitido que los circuitos integrados VLSI alcancen una mayor densidad de integración y velocidad de operación, lo cual ha llevado a un incremento en la demanda de circuitos electrónicos. Sin e
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::0ccd5c5523491b837aa1a178732fc38a
http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/60
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