Zobrazeno 1 - 10
of 1 606
pro vyhledávání: '"Raynaud, C"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Cazaudehore, G., Guyoneaud, R., Evon, P., Martin-Closas, L., Pelacho, A.M., Raynaud, C., Monlau, F.
Publikováno v:
In Biotechnology Advances May-June 2022 56
Autor:
Beaufils, C., Redjem, W., Rousseau, E., Jacques, V., Kuznetsov, A. Yu., Raynaud, C., Voisin, C., Benali, A., Herzig, T., Pezzagna, S., Meijer, J., Abbarchi, M., Cassabois, G.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 97, 035303 (2018)
We addressed the carrier dynamics in so-called G-centers in silicon (consisting of substitutional-interstitial carbon pairs interacting with interstitial silicons) obtained via ion implantation into a silicon-on-insulator wafer. For this point defect
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1708.05238
Autor:
Monlau, F., Suarez-Alvarez, S., Lallement, A., Vaca-Medina, G., Giacinti, G., Munarriz, M., Urreta, I., Raynaud, C., Ferrer, C., Castañón, S.
Publikováno v:
In Algal Research November 2021 59
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering B January 2021 263
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2018 88-90:656-660
Publikováno v:
In Nuclear Engineering and Design September 2017 321:288-300
Publikováno v:
Journal of Experimental Botany, 2016 Jan 01. 67(20), 5887-5900.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/26391400
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.