Zobrazeno 1 - 10
of 31
pro vyhledávání: '"Rawat, Udit"'
CMOS-MEMS resonators seamlessly integrated in advanced integrated circuit (IC) technology have the unique capability to enable unprecedented integration of stable frequency references, acoustic spectral processors, and physical sensors. Demonstration
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2304.05975
This paper presents a comprehensive study of the performance of Sezawa surface acoustic wave (SAW) devices in SweGaN QuanFINE ultrathin GaN/SiC platform, reaching frequencies above 14 GHz for the first time. Sezawa mode frequency scaling is achieved
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2204.12113
In this work, a compact model is presented for a 14 nm CMOS-based FinFET Resonant Body Transistor (fRBT) operating at a frequency of 11.8 GHz and targeting RF frequency generation/filtering for next generation radio communication, clocking, and sensi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2107.04502
Autor:
Srivastava, Abhishek, Chatterjee, Baibhab, Rawat, Udit, He, Yanbo, Weinstein, Dana, Sen, Shreyas
(RFT) allows very high-Q active mode resonators, promising crystal-less monolithic clock generation for mmWave systems. However, there is a strong need for design of mmWave oscillators that utilize the high-Q of active-mode RFT (AM-RFT) optimally, wh
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2107.01953
Autor:
Srivastava, Abhishek, Chatterjee, Baibhab, Rawat, Udit, He, Yanbo, Weinstein, Dana, Sen, Shreyas
Very small electromechanical coupling coefficient in micro-electromechanical systems (MEMS) or acoustic resonators is quite of a concern for oscillator performance, specially at mmWave frequencies. This small coefficient is the manifestation of the s
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2005.07138
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Journal of the American College of Radiology December 2015 12(12) Part A:1251-1256
Autor:
Rawat, Udit
With the emergence of 5G/mm-Wave communication, there is a growing need for novel front-end electromechanical devices in filtering and carrier generation applications. CMOS-MEMS resonators fabricated using state-of-the-art Integrated Circuit (IC) man
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5c8c796aabd7fe8af2911ebf1d7a99e6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.