Zobrazeno 1 - 10 of 38 pro vyhledávání: '"Ravikiran L"'
3
Akademický článek
Study on GaN buffer leakage current in AlGaN/GaN high electron mobility transistor structures grown by ammonia-molecular beam epitaxy on 100-mm Si(111).
Autor: Ravikiran, L., Radhakrishnan, K., Basha, S. Munawar, Dharmarasu, N., Agrawal, M., kumar, C. M. Manoj, Arulkumaran, S., Ng, G. I.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/28/2015, Vol. 117 Issue 24, p245305-1-245305-7, 7p, 2 Diagrams, 3 Charts, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Growth and characterization of AlGaN/GaN/AlGaN double-heterojunction high-electron-mobility transistors on 100-mm Si(111) using ammonia-molecular beam epitaxy.
Autor: Ravikiran, L., Dharmarasu, N., Radhakrishnan, K., Agrawal, M., Yiding, Lin, Arulkumaran, S., Vicknesh, S., Ng, G. I.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/14/2015, Vol. 117 Issue 2, p025301-1-025301-7, 7p, 1 Color Photograph, 1 Diagram, 3 Charts, 9 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Strain states of AlN/GaN-stress mitigating layer and their effect on GaN buffer layer grown by ammonia molecular beam epitaxy on 100-mm Si(111).
Autor: Ravikiran, L., Radhakrishnan, K., Dharmarasu, N., Agrawal, M., Munawar Basha, S.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Sep2013, Vol. 114 Issue 12, p123503, 6p, 1 Color Photograph, 1 Black and White Photograph, 1 Diagram, 1 Chart, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje