Zobrazeno 1 - 10
of 36
pro vyhledávání: '"Rascuna', S."'
Autor:
Rascunà, S., Badalà, P., Tringali, C., Bongiorno, C., Smecca, E., Alberti, A., Di Franco, S., Giannazzo, F., Greco, G., Roccaforte, F., Saggio, M.
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing 97 (2019) 62-66
This work reports on the morphological and electrical properties of Ni-based back-side Ohmic contacts formed by laser annealing process for SiC power diodes. Nickel films, 100 nm thick, have been sputtered on the back-side of heavily doped 110 um 4H-
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1906.03089
Autor:
Bellocchi, G., Vivona, M., Bongiorno, C., Badalà, P., Bassi, A., Rascuna', S., Roccaforte, F.
Publikováno v:
In Solid State Electronics December 2021 186
Autor:
Vivona M., Giannazzo F., Bellocchi G., Panasci S. E., Agnello S., Badala P., Bassi A., Bongiorno C., Di Franco S., Rascuna S., Roccaforte F.
This paper reports on the effects of excimer laser irradiation on an aluminum (Al)-doped silicon carbide (4H-SiC) layer. Specifically, high-concentration (1 × 1020at/cm3) Al-implanted 4H-SiC samples were exposed to a few pulses of 308 nm laser radia
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3658::35d2e342a6fa16755b7e1e32592b2b41
https://hdl.handle.net/10447/579397
https://hdl.handle.net/10447/579397
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sfienti, C., Baran, V., De Napoli, M., Imme´, G., Raciti, G., Rapisarda, E., Rascuna´, S., Spezzi, L.
Publikováno v:
In Nuclear Physics, Section A 2004 734:528-531
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.