Zobrazeno 1 - 10 of 18 pro vyhledávání: '"Range, K.J."'
1
Akademický článek
Comparison of different gettering techniques for Cu–p+ versus polysilicon and oxygen precipitates.
Autor: Hoelzl, R., Range, K.J., Fabry, L.
Publikováno v: Applied Physics A: Materials Science & Processing. 2002, Vol. 75 Issue 5, p591. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
The linkage between macroscopic gettering mechanisms and electronic configuration of 3d-elements in p/p+ epitaxial silicon wafers.
Autor: Hölzl, R., Fabry, L., Range, K.J.
Publikováno v: Applied Physics A: Materials Science & Processing; 2002, Vol. 74 Issue 1, p35, 5p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Gettering efficiencies for Cu and Ni as a function of size and density of oxygen precipitates in p/p- silicon epitaxial wafers.
Autor: Hölzl, R., Fabry, L., Range, K.J.
Publikováno v: Applied Physics A: Materials Science & Processing; 2001, Vol. 73 Issue 2, p137, 6p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje