Zobrazeno 1 - 10
of 2 828
pro vyhledávání: '"Random telegraph noise (RTN)"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Maestro, M., Diaz, J., Crespo-Yepes, A., Gonzalez, M.B., Martin-Martinez, J., Rodriguez, R., Nafria, M., Campabadal, F., Aymerich, X.
Publikováno v:
In Solid State Electronics January 2016 115 Part B:140-145
Publikováno v:
In Solid State Electronics February 2014 92:20-23
Autor:
Yang Feng, Jixuan Wu, Xuepeng Zhan, Jing Liu, Zhaohui Sun, Junyu Zhang, Masaharu Kobayashi, Jiezhi Chen
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 43:1455-1458
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Eunseok Oh, Hyungcheol Shin
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 934-940 (2024)
Random telegraph noise (RTN) shifts the threshold voltage (Vt) of 3D NAND flash memory cells, making it a key factor of the device malfunction. The aim of this study is to predict the distribution of RTN induced ${\mathrm { V}}_{\mathrm { t}}$ shift
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/602e638e32ee4f60862509ba64b886d9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ASICON
This paper presents the recent advances of our new solution for accurate compact modeling and fast circuit simulation of random telegraph noise (RTN). The model and simulation flow has been implemented in HSPICE using OMI/TMI (CMC open model interfac