Výsledky vyhledávání - "Rana Y. El Kashlan"

Two‐dimensional models for quantum effects on short channel electrostatics of lightly doped symmetric double‐gate MOSFETs

Autor: Rana Y. El Kashlan, Yehea Ismail, Hamdy Abd El Hamid

Publikováno v: IET Circuits, Devices & Systems. 12:341-346

Analytical Verilog-A compatible 2D model including quantum short channel effects and confinement for the potential, threshold voltage and the carrier charge sheet density for symmetrical lightly doped double-gate metal-oxide-semiconductor field effec

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::526bf00f1cecc8586d7c200c82f3bae0
https://doi.org/10.1049/iet-cds.2017.0046

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání