Zobrazeno 1 - 10
of 32
pro vyhledávání: '"Rana, Tawhid"'
SiC epitaxial films grown in an inverted chimney CVD reactor are analyzed and compared for growth rates, doping concentration and surface morphology using silane-propane-hydrogen and dichlorosilane (DCS)-propane-hydrogen chemistry systems. A general
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1208.6018
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part A: Defect and Diffusion Forum; August 2024, Vol. 434 Issue: 1 p123-127, 5p
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2011 320(1):95-102
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part A: Defect and Diffusion Forum; May 2023, Vol. 425 Issue: 1 p63-68, 6p
Publikováno v:
Materials Science Forum; May 2023, Vol. 1089 Issue: 1 p31-35, 5p
Optimizing Non-Contact Doping and Electrical Defect Metrology for Production of SiC Epitaxial Wafers
Autor:
Pushkarev, Vladimir, Rana, Tawhid, Gave, Matthew, Sanchez, Edward, Savtchouk, Alexandre, Wilson, Marshall, Marinskiy, Dmitriy, Lagowski, Jacek
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; May 2023, Vol. 342 Issue: 1 p99-104, 6p
Publikováno v:
Materials Science Forum; May 2022, Vol. 1062 Issue: 1 p99-103, 5p
Autor:
Omar, Sabih U., Chandrashekhar, M. V. S., Chowdhury, Iftekhar A., Rana, Tawhid A., Sudarshan, Tangali S.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; May2013, Vol. 113 Issue 18, p184904, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Science Forum; July 2019, Vol. 963 Issue: 1 p119-122, 4p