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Efecto de la concentración de Indio en las propiedades ópticas de películas de InxGa1-xN en fase hexagonal
Autor: Ramos Carrazco, Antonio
Publikováno v: Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada
CICESE
Repositorio Institucional CICESE
La aplicación de los nitruros del grupo III (InN-GaN-AIN) en dispositivos optoelectrónicos ha generado importantes avances en el desarrollo de emisores de luz, en el rango de longitudes de onda desde el UV hasta el visible. En particular, el InxGa1
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::2d122e7c4384753e766597c79f189f2b
http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/582
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Desarrollo y caracterización de transistores de efecto de campo basados en nitruro de galio sintetizado por CVD
Autor: PAREDES GALLARDO, OMAR EMMANUEL, 787184
Publikováno v: Universidad de Sonora
UNISON
Repositorio Institucional UNISON
Tesis de maestría en ciencias en electrónica La aplicación del semiconductor nitruro de galio (GaN) como material activo en estructuras de dispositivos electronicos implica un estudio detallado de sus propiedades. El primer capítulo brinda al lec
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::e84c89fc998fd8b82f5c09b725acf274
http://www.repositorioinstitucional.uson.mx/handle/unison/1871
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Síntesis y caracterización de ZnO usando la técnica CVD para el desarrollo de transistores
Autor: GALLARDO CUBEDO, JOSE ANTONIO, 787526
Publikováno v: Universidad de Sonora
UNISON
Repositorio Institucional UNISON
Tesis de maestría en ciencias en electrónica En este proyecto de investigación, se propone el crecimiento del semiconductor ZnO, utilizando la técnica de depósito de vapor químico (CVD, por sus siglas en inglés), para el desarrollo de transist
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http://www.repositorioinstitucional.uson.mx/handle/unison/1868
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Fabricación y caracterización de la celda solar con estructura PbS/CdS depositada por el método de baño químico
Autor: COHEN CANCIO, FRANCISCO JAVIER, 735309
Publikováno v: Universidad de Sonora
UNISON
Repositorio Institucional UNISON
Tesis de maestría en ciencias en electrónica En este trabajo de investigación, se reporta el crecimiento de películas delgadas de PbS sobre películas delgadas de CdS depositadas por la técnica de CBD para formar la unión P-N, se describe la fa
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::8f6f144b18515c0625615127a68d5edc
http://www.repositorioinstitucional.uson.mx/handle/unison/3329
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