Zobrazeno 1 - 10
of 54
pro vyhledávání: '"Rambal, N."'
Autor:
Bédécarrats, T., Paz, B. Cardoso, Diaz, B. Martinez, Niebojewski, H., Bertrand1, B., Rambal, N., Comboroure, C., Sarrazin, A., Boulard, F., Guyez, E., Hartmann, J. -M., Morand, Y., Magalhaes-Lucas, A., Nowak, E., Catapano, E., Cassé, M., Urdampilleta, M., Niquet, Y. -M., Gaillard, F., De Franceschi, S., Meunier, T., Vinet, M.
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, CA, USA, 2021, pp. 1-4
Operating Si quantum dot (QD) arrays requires homogeneous and ultra-dense structures with aggressive gate pitch. Such a density is necessary to separately control the QDs chemical potential (i.e. charge occupation of each QD) from the exchange intera
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2304.03721
Autor:
Fenouillet-Beranger, C., Previtali, B., Batude, P., Nemouchi, F., Cassé, M., Garros, X., Tosti, L., Rambal, N., Lafond, D., Dansas, H., Pasini, L., Brunet, L., Deprat, F., Grégoire, M., Mellier, M., Vinet, M.
Publikováno v:
In Solid State Electronics November 2015 113:2-8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bonnevialle, A., Reboh, S., Royer, C. Le, Morand, Y., Hartmann, J.-M., Rouchon, D., Pedini, J.-M., Tabone, C., Rambal, N., Payet, A., Plantier, C., Boeuf, F., Haond, M., Claverie, A., Vinet, M.
Publikováno v:
Physica Status Solidi (C); Dec2016, Vol. 13 Issue 10-12, p740-745, 6p
Autor:
Fenouillet-Beranger, C., Previtali, B., Batude, P., Nemouchi, F., Casse, M., Garros, X., Tosti, L., Rambal, N., Lafond, D., Dansas, H., Pasini, L., Brunet, L., Deprat, F., Gregoire, M., Mellier, M., Vinet, M.
Publikováno v:
2014 44th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC); 2014, p110-113, 4p
Autor:
Deprat, F., Nemouchi, F., Fenouillet-Beranger, C., Casse, M., Rodriguez, Ph., Previtali, B., Rambal, N., Delaye, V., Haond, M., Mellier, M., Gregoire, M., Danielou, M., Favier, S., Batude, P., Vinet, M.
Publikováno v:
2016 IEEE International Interconnect Technology Conference / Advanced Metallization Conference (IITC/AMC); 2016, p133-135, 3p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Vinet, M., Batude, P., Fenouillet-Beranger, C., Clermidy, F., Brunet, L., Rozeau, O., Hartmannn, JM, Billoint, O., Cibrario, G., Previtali, B., Tabone, C., Sklenard, B., Turkyilmaz, O., Ponthenier, F, Rambal, N., Samson, MP., Deprat, F., Lu, V., Pasini, L., Thuries, S.
Publikováno v:
2014 SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S); 2014, p1-3, 3p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.