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Akademický článek

Nanoscale structural characterization of epitaxial graphene grown on off-axis 4H-SiC (0001)

Autor: Yakimova Rositza, Rambach Martin, Vecchio Carmelo, Sonde Sushant, Bongiorno Corrado, Raineri Vito, Giannazzo Filippo

Publikováno v: Nanoscale Research Letters, Vol 6, Iss 1, p 269 (2011)

Abstract In this work, we present a nanometer resolution structural characterization of epitaxial graphene (EG) layers grown on 4H-SiC (0001) 8° off-axis, by annealing in inert gas ambient (Ar) in a wide temperature range (Tgr from 1600 to 2000°C).

Externí odkaz: https://doaj.org/article/abd9318edd7f4475809e41a85428f889

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Investigation of Annealing Techniques for Aluminum Implanted Layers in 4H-Silicon Carbide

Autor: Rambach, Martin

Thema dieser Dissertation ist die Entwicklung eines Ausheilverfahrens für Aluminium-implantierte Schichten in 4H-Siliciumcarbid mit minimaler Oberflächendegradation und gleichzeitig hohem Aktivierungsgrad der implantierten Spezies. Da die notwendig

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2091::e13917ce257235278a12e2cd010ad0ef
https://opus4.kobv.de/opus4-fau/files/475/MartinRambachDissertation.pdf