Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Ramón, Michael E."'
Autor:
Movva, Hema C. P., Ramón, Michael E., Corbet, Chris M., Sonde, Sushant, Chowdhury, Sk. Fahad, Carpenter, Gary, Tutuc, Emanuel, Banerjee, Sanjay K.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 101, 183113 (2012)
We report a method of fabricating self-aligned, top-gated graphene field-effect transistors (GFETs) employing polyethyleneimine spin-on-doped source/drain access regions, resulting in a 2X reduction of access resistance and a 2.5X improvement in devi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1210.5535
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hsing-Huang Tseng, Tobin, Philip J., Kalpat, Sriram, Schaeffer, Jamie K., Ramón, Michael E., Fonseca, Leonardo R. C., Jiang, Zhixiong X., Hegde, R. I., Triyoso, Dina H., Semavedam, S.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; Dec2007, Vol. 54 Issue 12, p3267-3275, 9p, 7 Black and White Photographs, 24 Graphs
